Дискретные полупроводники

Описание IRFS4229TRLPBF MOSFET, N-CH, 250V, 45A, TO-263-3 Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 250 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 45 А, Сопротивление открытого канала (мин) 48 мОм Вес, г 2.5
Описание IRFS7440TRLPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 120 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0025...
Описание IRFS7730TRL7PP Корпус TO2637, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 240 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2 мОм Вес, г 3
Описание IRFTS8342TRPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.2 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 29...
Описание IRFTS9342TRPBF Характеристики Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 66...
Описание IRFU024NPBF Корпус IPAK, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 17 А, Сопротивление открытого канала (мин) 75 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный...
Описание IRFU120NPBF The IRFU120NPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology. • 175°C Operating temperature • Dynamic dV/dt rating • Fully avalanche rated...
Описание IRFU9120PBF The IRFU9120PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The straight lead version is for through-hole mounting applications. Power dissipation...
Описание IRFU9310PBF Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.8 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 7 ом...
Цена: по запросу
Описание IRFZ14PBF The IRFZ14PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low...
Цена: по запросу
Описание IRFZ44ZPBF The IRFZ44ZPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and...
Описание IRFZ48NSTRLPBF MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Drain Source Voltage, Vds: 55V; Continuous Drain Current, Id: 64A; On Resistance, Rds(on): 14mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs: 10V; Package/Case: D2-PAK Корпус TO263, Конфигурация и полярность N,...
Цена: по запросу
Описание IRG4BC20KDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
Описание IRG4BC20UD-SPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 13 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.85 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 60 Крутизна характеристики, S 4.3...
Описание IRG4BC20UDPBF Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of...
Цена: по запросу
Описание IRG4BC30FPBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 31 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6 Управляющее напряжение,В 6 Мощность макс.,Вт 100 Крутизна характеристики, S 10...
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара