Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Описание IRFR24N15DTRPBF Вес, г 4
Цена: по запросу
Описание IRFR2607ZPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 45 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.022 ом...
Описание IRFR3410TRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 39 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRFR3707ZTRPBF Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 56 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9.5 мОм Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный...
Описание IRFR3910TRPBF The IRFR3910TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design,...
Описание IRFR4615TRLPBF The IRFR4615TRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits. • Fully characterized...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFR9120NTRLPBF Вес, г 0.4
Описание IRFR9214TRPBF MOSFET, P, D-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity P Voltage, Vds Typ -250V Current, Id Cont 2.7A Resistance, Rds On 3ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement -10V Voltage, Vgs th Typ -4V Case Style DPAK Termination Type SMD Alternate Case Style TO-252 Current,...
Описание IRFR9310PBF The IRFR9310PBF is a -400V P-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU...
Описание IRFRC20PBF The IRFRC20PBF is a 600V N-channel Power MOSFET designed for fast switching, rugged device design and low on-resistance. The DPAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU, SiHFU series)...
Описание IRFS4115TRLPBF N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
Показать еще 64 товара