Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Описание IRFHS8342TRPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.016...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRFI620GPBF N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor Maximum Operating Temperature +150 °C Количество элементов на ИС 1 Transistor Configuration Одинарный Brand Vishay Maximum Continuous Drain Current 4 А Тип корпуса TO-220FP Maximum Power...
Описание IRFI640GPBF The IRFI640GPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound...
Описание IRFI840GPBF N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом...
Цена: по запросу
Описание IRFI9530GPBF The IRFI9530GPBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound...
Цена: по запросу
Описание IRFI9630GPBF Вес, г 2
Цена: по запросу
Описание IRFI9634GPBF P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor Максимальная рабочая температура +150 °C Количество элементов на ИС 1 Transistor Configuration Одинарный Типичное время задержки включения 12 нс Производитель Vishay Типичное время задержки...
Показать еще 64 товара