Дискретные полупроводники

Описание IRFB5620PBF The IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D...
Описание IRFB61N15DPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 60 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.032...
Описание IRFB7430PBF StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon Infineon's StrongIRFET family is optimized for low R DS (on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor...
Описание IRFB7446PBF StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon Infineon's StrongIRFET family is optimized for low R DS (on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor...
Цена: по запросу
Описание IRFB9N60APBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.2 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в...
Описание IRFB9N65APBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в...
Цена: по запросу
Описание IRFBC30PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.6 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Описание IRFBC40APBF IRFBC40APBF является N-канальным силовым МОП-транзистором 600В с режимом обогащения и одной конфигурацией. Он подходит для импульсных источников питания, источников бесперебойного питания и устройств высокоскоростного переключения питания. • Низкий заряд затвора Qg...
Описание IRFD120PBF N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 1.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в...
Цена: по запросу
Описание IRFD123PBF Корпус DIP4, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 270 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 80...
Описание IRFD220PBF The IRFD220PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations...
Описание IRFD320PBF MOSFET N, HEXDIP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 0.49A Resistance, Rds On 1.8ohm Case Style HEXDIP Current, Idm Pulse 3.9A Power, Pd 1W Voltage, Vds Max 400V Корпус DIP4, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 400...
Описание IRFD420PBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.48 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3 ом при...
Описание IRFD9014PBF Корпус DIP4 Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 1,1 А Тип корпуса HVMDIP Максимальное рассеяние мощности 1,3 Вт Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия Ширина 6.29мм Высота 3.37мм Размеры 5 x 6.29...
Описание IRFD9024PBF The IRFD9024PBF is a -60V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be...
Цена: по запросу
Описание IRFD9110PBF The IRFD9110PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be...
Описание IRFD9120PBF The IRFD9120PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be...
Показать еще 64 товара