Дискретные полупроводники

Описание IRF7470PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 13...
Описание IRF7470TRPBF N-CH 40V 11A 13mOhm SO8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 13 мОм Brand Infineon Вес, г 0.15
Описание IRF7493PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 80 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 15...
Описание IRF7493TRPBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
Описание IRF7495PBF MOSFET, N, SO-8 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 100V Current, Id Cont 7.3A Resistance, Rds On 0.022ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style SOIC Termination Type SMD Current, Idm Pulse 58A Pin Configuration...
Описание IRF7811AVTRPBF Вес, г 0.15
Описание IRF7832TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4 мОм Максимальная рабочая температура +155 °C Максимальный непрерывный...
Описание IRF7842TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5 мОм Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный...
Описание IRF7904PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7.6/11 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
Описание IRF7905TRPBF Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 7,8 А, 8,9 А Тип корпуса SOIC Максимальное рассеяние мощности 2 Вт Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 4мм Прямая активная межэлектродная проводимость 15с...
Описание IRF7907TRPBF Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.1/11 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)...
Описание IRF8313PBF Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0155 ом...
Описание IRF840PBF IRF840PBF является N-канальным HEXFET® силовым МОП-транзистором 400В третьего поколения, который обеспечивает разработчика лучшим сочетанием быстрого переключения, прочностью исполнения и низкого сопротивления в активном состоянии. Корпус универсально предпочтителен для...
Описание IRF8707PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 11.9...
Описание IRF8714PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 8.7...
Описание IRF8714TRPBF Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin SOIC T/R Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 14 А, Сопротивление открытого канала (мин) 8.7 мОм Структура n-канал...
Описание IRF8721PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 8.5...
Описание IRF8736TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.8 мОм Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30...
Описание IRF8788PBF Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 24 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 2.8...
Описание IRF8788TRPBF N-Ch 30V 24A 2.5W 0.0028R SO8 Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 24 А, Сопротивление открытого канала (мин) 2.8 мОм Максимальная рабочая температура...
Описание IRF9310TRPBF P CHANNEL, MOSFET, -30V, -20A, SOIC; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -20A Корпус SO-8, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление...
Описание IRF9321PBF Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство...
Описание IRF9335TRPBF Традиционно, p-канальные MOSFET транзисторы имеют рабочее сопротивление вдвое больше, чем у аналогичных приборов с n-каналом или в два-три раза большую активную зону кремния при равном сопротивлении. Компания International Rectifier разработала новое семейство...
Описание IRF9358PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -9.2/-7.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
Цена: по запросу
Описание IRF9362TRPBF Корпус SO-8, Конфигурация и полярность DUAL P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 8 А, Сопротивление открытого канала (мин) 21 мОм Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание IRF9510PBF The IRF9510PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The...
Показать еще 64 товара