Москва
 
+7(495)740-30-77

Дискретные полупроводники

Сортировать по:
От А до Я
64
IRF250P224, транзистор полевой mosfet n-канальный 250в 128a 3-pin(3+tab) to-247ac туба
Цена: по запросу
IRF250P225, транзистор полевой mosfet n-канальный 250в 69a 3-pin(3+tab) to-247ac туба
IRF250P225, транзистор полевой mosfet n-канальный 250в 69a 3-pin(3+tab) to-247ac туба
Цена: по запросу
IRF2804LPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 40в 75a to-220-3
IRF2804LPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 40в 75a to-220-3
Цена: по запросу
IRF2804PBF, транзистор полевой n-канальный 40в 160а 330вт, 1.6 мом
IRF2804PBF, транзистор полевой n-канальный 40в 160а 330вт, 1.6 мом
В наличии
134.43 ₽
IRF2804SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75а 330вт
IRF2804SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75а 330вт
Цена: по запросу
IRF2805SPBF, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 135 а
IRF2805SPBF, полевой транзистор, n-канальный, 55 в, 135 а
Цена: по запросу
IRF2805STRLPBF, транзистор hexfet n-канал 55в 135а [d2pak]
IRF2805STRLPBF, транзистор hexfet n-канал 55в 135а [d2pak]
Цена: по запросу
Описание IRF2805STRLPBF МОП-транзистор MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC Максимальная рабочая температура +175 °C Максимальный непрерывный ток стока 135 A Тип корпуса D2PAK (TO-263) Максимальное рассеяние мощности 200 W Тип монтажа Поверхностный монтаж Ширина 9.65мм...
IRF2807PBF, транзистор полевой n-канальный 75в 82а 200вт
IRF2807PBF, транзистор полевой n-канальный 75в 82а 200вт
В наличии
50.77 ₽
IRF2903ZPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 75а 290вт
IRF2903ZPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 75а 290вт
В наличии
196.94 ₽
IRF2907ZPBF, транзистор полевой n-канальный 75в 75а 330вт
IRF2907ZPBF, транзистор полевой n-канальный 75в 75а 330вт
В наличии
263.06 ₽
IRF3205SPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 110а 200вт, 0.008 ом
IRF3205SPBF, транзистор полевой n-канальный 55в 110а 200вт, 0.008 ом
Цена: по запросу
IRF3315STRLPBF, транзистор mosfet одиночный
IRF3315STRLPBF, транзистор mosfet одиночный
Цена: по запросу
IRF3415SPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 43a
IRF3415SPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 43a
Цена: по запросу
IRF360, транзистор mosfet одиночный
IRF360, транзистор mosfet одиночный
Цена: по запросу
IRF3703PBF, транзистор полевой n-канальный 30в 210а 230вт
IRF3703PBF, транзистор полевой n-канальный 30в 210а 230вт
Цена: по запросу
IRF3708PBF, транзистор полевой n-канальный 30в 62a
IRF3708PBF, транзистор полевой n-канальный 30в 62a
В наличии
47.04 ₽
IRF3709ZPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 87а 79вт
IRF3709ZPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 87а 79вт
В наличии
49.36 ₽
Описание IRF3709ZPBF Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 87 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0063 ом...
IRF3709ZSTRRPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 30в 87a d2pak
IRF3709ZSTRRPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 30в 87a d2pak
Цена: по запросу
IRF3710PBF, транзистор полевой n-канальный 100в 57а 200вт, 0.025 ом
IRF3710PBF, транзистор полевой n-канальный 100в 57а 200вт, 0.025 ом
В наличии
48.39 ₽
IRF3710STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 57a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
IRF3710STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 57a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
В наличии
102.49 ₽
Описание IRF3710STRLPBF MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 100V; Current, Id Cont: 57A; Resistance, Rds On: 23mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: D2-PAK; Termination Type: SMD Корпус TO263,...
IRF3710ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 59а 160вт
IRF3710ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 59а 160вт
В наличии
159.63 ₽
IRF3710ZSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 59a aвтомобильного применения 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
IRF3710ZSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 59a aвтомобильного применения 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
В наличии
165.07 ₽
IRF3805PBF, транзистор полевой n-канальный 55в 75a
IRF3805PBF, транзистор полевой n-канальный 55в 75a
В наличии
95.62 ₽
IRF3805STRL-7PP, транзистор полевой mosfet n-канальный 55в 160a d2pak-7
IRF3805STRL-7PP, транзистор полевой mosfet n-канальный 55в 160a d2pak-7
В наличии
338.90 ₽
IRF3808PBF, транзистор полевой n-канальный 75в 140а 340вт
IRF3808PBF, транзистор полевой n-канальный 75в 140а 340вт
В наличии
110.78 ₽
Описание IRF3808PBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
IRF3808STRLPBF, транзистор полевой n-канал 75в/106а/200вт/0.007 ом
IRF3808STRLPBF, транзистор полевой n-канал 75в/106а/200вт/0.007 ом
В наличии
196.46 ₽
Описание IRF3808STRLPBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
IRF4104SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a
IRF4104SPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a
В наличии
123.37 ₽
Описание IRF4104SPBF The IRF4104SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and...
IRF4104STRLPBF, транзистор полевой n-канальный 40в 75a
В наличии
115.78 ₽
IRF4905PBF, транзистор полевой p-канальный 55в 74а 200вт
IRF4905PBF, транзистор полевой p-канальный 55в 74а 200вт
В наличии
96.71 ₽
IRF4905STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 42а 170вт
IRF4905STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 42а 170вт
В наличии
94.81 ₽
Описание IRF4905STRLPBF P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
IRF520NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 9.7а 48вт, 0.20 ом
IRF520NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 9.7а 48вт, 0.20 ом
В наличии
44.63 ₽
IRF520NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 9.7a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
IRF520NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 9.7a 3-pin(2+tab) d2pak лента на катушке
В наличии
94.73 ₽
Описание IRF520NSTRLPBF D2PAK/100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A D2-PAK PACKAGE Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.7 А, Сопротивление открытого канала (мин) 200...
IRF5210PBF, транзистор полевой p-канальный 100в 40а 200вт, 0.06 ом
IRF5210PBF, транзистор полевой p-канальный 100в 40а 200вт, 0.06 ом
В наличии
86.12 ₽
IRF5210STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 100в 38a
IRF5210STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 100в 38a
В наличии
91.78 ₽
Описание IRF5210STRLPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
IRF5305PBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт, 0.06 ом
IRF5305PBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт, 0.06 ом
В наличии
42.56 ₽
IRF5305STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт
IRF5305STRLPBF, транзистор полевой p-канальный 55в 31а 110вт
В наличии
75.22 ₽
Описание IRF5305STRLPBF P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
IRF530A, mosfet n-ch 100v 14a to-220
IRF530A, mosfet n-ch 100v 14a to-220
Цена: по запросу
Описание IRF530A IRF530A является N-канальным силовым МОП-транзистором 100В с надежными технологиями Avalanche и Gate Oxide. Он оснащен меньшей входной емкостью и улучшенным параметром заряда затвора. • Увеличенная зона безопасной работы • Уменьшенный ток утечки (10А при VDS = 100В) •...
IRF530NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 14а 88вт, 0.16 ом
IRF530NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 14а 88вт, 0.16 ом
В наличии
30.66 ₽
IRF530NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 17а 3.8вт
IRF530NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 17а 3.8вт
В наличии
51.21 ₽
IRF540NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 33а 140вт, 0.052 ом
IRF540NPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 33а 140вт, 0.052 ом
В наличии
38.19 ₽
IRF540NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 33а 3.8вт
IRF540NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 33а 3.8вт
В наличии
36.04 ₽
IRF540ZLPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 36a to-262
IRF540ZLPBF, транзистор полевой mosfet n-канальный 100в 36a to-262
В наличии
54.23 ₽
IRF540ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 36а 92вт
IRF540ZPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 36а 92вт
В наличии
61.48 ₽
IRF5801TRPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 0.6а 2вт
IRF5801TRPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 0.6а 2вт
В наличии
38.85 ₽
IRF5802TRPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 0.9а 2вт
IRF5802TRPBF, транзистор полевой n-канальный 150в 0.9а 2вт
В наличии
26.81 ₽
IRF5803TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 3.4а 2вт
IRF5803TRPBF, транзистор полевой p-канальный 40в 3.4а 2вт
В наличии
19.75 ₽
IRF5851TRPBF, полевой транзистор, n/p-канальный, 20 в, 2.7 а
IRF5851TRPBF, полевой транзистор, n/p-канальный, 20 в, 2.7 а
Цена: по запросу
IRF5852TRPBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 2.2 а, 0.09 ом
IRF5852TRPBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 20 в, 2.2 а, 0.09 ом
Цена: по запросу
Описание IRF5852TRPBF Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.7 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.09...
IRF6215PBF, транзистор полевой p-канальный 150в 13a
IRF6215PBF, транзистор полевой p-канальный 150в 13a
В наличии
614.47 ₽
IRF6216TRPBF, транзистор полевой p-канальный 150в 2.2a
IRF6216TRPBF, транзистор полевой p-канальный 150в 2.2a
В наличии
49.16 ₽
Описание IRF6216TRPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range...
IRF6218PBF, транзистор полевой p-канальный 150в 27а 250вт
IRF6218PBF, транзистор полевой p-канальный 150в 27а 250вт
В наличии
184.78 ₽
IRF630, транзистор полевой n-канальный 200в 9а 74вт, 0.4 ом
IRF630, транзистор полевой n-канальный 200в 9а 74вт, 0.4 ом
В наличии
79.46 ₽
Описание IRF630 N-Channel STripFET™, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси...
IRF630NPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.3а 82вт, 0.3 ом
IRF630NPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.3а 82вт, 0.3 ом
В наличии
29.04 ₽
IRF630NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.3а 82вт
IRF630NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 9.3а 82вт
В наличии
128.05 ₽
Описание IRF630NSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the...
IRF640NPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 18а 150вт, 0.15 ом
IRF640NPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 18а 150вт, 0.15 ом
В наличии
36.06 ₽
Описание IRF640NPBF IRF640NPBF от компании International Rectifier является N-канальным силовым МОП-транзистором HEXFET 200В в корпусе TO-220AB. Данная особенность МОП-транзистора обеспечивает очень низкое сопротивление в активном состоянии, динамический dv/dt, быстрой процесс...
IRF640NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 18а 150вт
IRF640NSTRLPBF, транзистор полевой n-канальный 200в 18а 150вт
В наличии
66.65 ₽
Описание IRF640NSTRLPBF MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current, Id: 18A; Package/Case: D2-PAK; Power Dissipation, Pd: 150W; Continuous Drain Current - 100 Deg C: 13A; Drain Source On Resistance @ 10V: 150mohm Корпус TO263, Конфигурация и...
IRF6645TRPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 5.7a
IRF6645TRPBF, транзистор полевой n-канальный 100в 5.7a
165.41 ₽
IRF6727MTRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 32a 7-pin direct-fet mx лента на катушке
IRF6727MTRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 32a 7-pin direct-fet mx лента на катушке
В наличии
124.47 ₽
IRF7101PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 3.5 а, 2 вт
IRF7101PBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 20 в, 3.5 а, 2 вт
Цена: по запросу
IRF7103PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 50 в, 3 а, 2 вт, 0.13 ом
IRF7103PBF, сборка из полевых транзисторов, n-канальный, 50 в, 3 а, 2 вт, 0.13 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7103PBF Характеристики Структура 2n-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 130...
IRF7103TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 50 в, 3 а, 2 вт
IRF7103TRPBF, сборка из полевых транзисторов, 2n-канальный, 50 в, 3 а, 2 вт
Цена: по запросу
IRF7104PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 20 в,2.3 а, 2 вт, 0.25 ом
IRF7104PBF, сборка из полевых транзисторов, p-канальный, 20 в,2.3 а, 2 вт, 0.25 ом
Цена: по запросу
Описание IRF7104PBF Характеристики Структура 2p-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -2.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 250...
IRF7105PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 25 в, 3.5 а/2.3 а,2 вт
IRF7105PBF, сборка из полевых транзисторов, n/p-канальный, 25 в, 3.5 а/2.3 а,2 вт
Цена: по запросу
Описание IRF7105PBF Характеристики Структура n/p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25/-25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5/-2.3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм...
IRF7201TRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 7.3а 2.5вт
IRF7201TRPBF, транзистор полевой n-канальный 30в 7.3а 2.5вт
В наличии
53.57 ₽
Показать еще 64 товара