Дискретные полупроводники

Цена: по запросу
Описание HER108 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1200 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 5 Максимальное прямое...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание HER207 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 960 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 2 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 60 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 5 Максимальное прямое...
Цена: по запросу
Описание HER301 Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 50 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 3 а Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 1 В при 3 А Время обратного...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание HER307 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 960 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 3 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 150 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 10 Максимальное прямое...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание HGTG20N60A4 Характеристики Структура n-канал Максимальное напряжение кэ ,В 600 Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 70 Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.8 Управляющее напряжение,В 5.5 Мощность макс.,Вт 290 Крутизна характеристики, S -...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара