Дискретные полупроводники

FQP19N20C, транзистор полевой n-канальный 200в 19а 139вт

Цена: по запросу

Описание FQP19N20C QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power...

FQP20N06, транзистор полевой mosfet n-канальный 60в 20a to-220

Цена: по запросу

FQP20N06L, транзистор полевой n-канальный 60в 21а 0.055 ом, 53вт

Цена: по запросу

FQP22N30, транзистор полевой n-канальный 300в 21а 170вт

Цена: по запросу

FQP27N25, транзистор полевой n-канальный 250в 25.5a

Цена: по запросу

FQP27P06, транзистор полевой p-канальный 60в 27а 120вт

Цена: по запросу

Описание FQP27P06 Корпус TO-220-3 Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -27 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id,...

FQP2N60C, транзистор полевой mosfet n-канальный 600в 2a to-220

Цена: по запросу

Описание FQP2N60C FQP2N60C является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 600В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в...

FQP2N90, транзистор полевой n-канальный 900в 2.2a

Цена: по запросу

FQP30N06, транзистор полевой n-канальный 60в 30a 3-pin(3+tab) to-220ab туба

Цена: по запросу

FQP30N06L, транзистор полевой n-канальный 60в 32a 3-pin(3+tab) to-220ab лента

Цена: по запросу

Описание FQP30N06L The FQP30N06L is a QFET® N-channel enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high...

FQP32N20C, транзистор полевой n-канальный 200в 28a

Цена: по запросу

FQP33N10, транзистор полевой n-канальный 100в 33a

Цена: по запросу

Описание FQP33N10 FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...

FQP34N20, транзистор полевой n-канальный 200в 31a

Цена: по запросу

FQP3N30, транзистор полевой n-канальный 300в 3.2a

Цена: по запросу

FQP3N60C, транзистор полевой n-канальный 600в 3a

Цена: по запросу

FQP3N80C, полевой транзистор, n-канальный, 800 в, 3 а

Цена: по запросу

FQP3P20, транзистор полевой p-канальный 200в 2.8a

Цена: по запросу

FQP3P50, транзистор полевой mosfet p-канальный 500в 2.7a to-220

Цена: по запросу

FQP44N10, транзистор полевой n-канальный 100в 43.5а 146вт

Цена: по запросу

Описание FQP44N10 FQP44N10 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения...

FQP45N15V2, транзистор полевой n-канальный 150в 45a

Цена: по запросу

FQP46N15, транзистор полевой n-канальный 150в 45.6a

Цена: по запросу

FQP47P06, транзистор полевой p-канальный 60в 47a

Цена: по запросу

FQP4N80, транзистор полевой n-канальный 800в 3.9a

Цена: по запросу

FQP4N90C, транзистор полевой n-канальный 900в 4a 140вт

Цена: по запросу

FQP4P40, транзистор полевой p-канальный 400в 3.5a

Цена: по запросу

FQP50N06, транзистор полевой n-канальный 60в 50а 120вт

Цена: по запросу

Описание FQP50N06 FQP50N06 является N-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® 60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология была специально разработана для минимизации сопротивления в...

FQP50N06L, транзистор полевой n-канальный 60в 52.4a

Цена: по запросу

FQP55N10, полевой транзистор, n-канальный, 100 в, 55 а

Цена: по запросу

Описание FQP55N10 QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor...

FQP5N60C, транзистор полевой n-канальный 600в 4.5a

Цена: по запросу

FQP65N06, транзистор полевой n-канальный 60в 65a

Цена: по запросу

FQP6N40C, транзистор полевой mosfet n-канальный 400в 6a to-220

Цена: по запросу

FQP6N60C, транзистор полевой n-канальный 600в 5.5a

Цена: по запросу

FQP6N80C, транзистор полевой n-канальный 800в 5.5а 2.5 ом, 158вт

Цена: по запросу

Описание FQP6N80C The FQP6N80C is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior...

FQP6N90C, транзистор полевой n-канальный 900в 6a

Цена: по запросу

FQP70N10, транзистор полевой n-канальный 100в 57a

Цена: по запросу

FQP7N80C, транзистор полевой n-канальный 800в 6.6a

Цена: по запросу

FQP7P06, транзистор полевой p-канальный 60в 7a

Цена: по запросу

FQP85N06, полевой транзистор, n-канальный, 60 в, 85 а

Цена: по запросу

FQP8N80C, транзистор полевой n-канальный 800в 8a

Цена: по запросу

FQP8N90C, полевой транзистор, n-канальный, 900 в, 6.3 а

Цена: по запросу

FQP8P10, транзистор полевой p-канальный 100в 8a

Цена: по запросу

FQP9N30, полевой транзистор, n-канальный, 300 в, 9 а

Цена: по запросу

FQP9N50C, mosfet n-ch 500v 9a to-220

Цена: по запросу

FQP9N90C, транзистор полевой n-канальный 900в 8a

Цена: по запросу

FQP9P25, транзистор полевой p-канальный 250в 9.4a

Цена: по запросу

FQPF10N20C, транзистор полевой n-канальный 200в 9.5a

Цена: по запросу

FQPF10N50CF, полевой транзистор, n-канальный, 500 в, 10 а

Цена: по запросу

FQPF10N60C, транзистор полевой n-канальный 600в 9.5а 50вт

Цена: по запросу

Описание FQPF10N60C Корпус TO220FULLPAK3 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при...