Дискретные полупроводники

Описание FP75R12KE3BOSA1 IGBT Modules, Infineon The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies. The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT...
Цена: по запросу
Описание FQA11N90C_F109 N-Channel 900V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P Base Product Number FQA1 -> Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 11A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss) 900V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V ECCN EAR99 FET Type N-Channel...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание FQA70N15 Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 70 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.028 ом при...
Цена: по запросу
Описание FQA9N90C_F109 The FQA9N90C_F109 is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара