Дискретные полупроводники

В наличии
£0.06
Описание B8S Характеристики Максимальное постоянное обратное напряжение,В 800 Максимальное импульсное обратное напряжение,В 960 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.5 Максимальный допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный ток,мкА 5...
Цена: по запросу
Описание BA159 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1000 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 20 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 50 Максимальное прямое...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAP50-03,115 PIN Diodes, NXP Semiconductors A wide range of PIN diodes suitable for use in RF switching and attenuator applications. Тип диода PIN (Одиночный) Максимальное обратное напряжение, Vr 50 в Максимальный прямой ток на диод, If 50 мА Ёмкость при Vr, F...
Показать еще 20 товаров