Дискретные полупроводники

В наличии
0.07
Описание B8S Характеристики Максимальное постоянное обратное напряжение,В 800 Максимальное импульсное обратное напряжение,В 960 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.5 Максимальный допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный ток,мкА 5...
Цена: по запросу
Описание BA159 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1000 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 20 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 50 Максимальное прямое...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAP50-03,115 PIN Diodes, NXP Semiconductors A wide range of PIN diodes suitable for use in RF switching and attenuator applications. Тип диода PIN (Одиночный) Максимальное обратное напряжение, Vr 50 в Максимальный прямой ток на диод, If 50 мА Ёмкость при Vr, F...
Показать еще 20 товаров