Описание 1N5404 Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 400 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 3 а Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 1.2 В при 3 А Максимальный обратный...
Описание 1N5406 Корпус DO201AD Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 600 В Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 3 а Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 1.2 В при 3 А...
Цена: по запросу
Описание 1N5407 Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 800 В Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 3 а Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If 1.2 В при 3 А Максимальный обратный...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
В наличии
4.63 
Описание 1N5711 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 70 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.015 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.015 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 200 Максимальное...
3.09 
В наличии
1.92 
Описание 1N5817 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 20 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 30 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 1000 Максимальное прямое...
В наличии
8.22 
Описание 1N5818 Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в Максимальный (средний) прямой ток на...
В наличии
2.07 
Описание 1N5819 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 40 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 25 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 1000 Максимальное прямое...
В наличии
2.24 
Описание 1N5819 Schottky Barrier Diodes, up to 1A, STMicroelectronics High power, efficiency and density. Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний) прямой ток на...
В наличии
7.05 
Описание 1N5821 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 30 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 3 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 80 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 2000 Максимальное прямое...
8.18 
Описание 1N5821 Характеристики Технические ∙ Корпус DO-201AD ∙ Монтаж DIP Электрические ∙ Обратный ток утечки 500uA Общие ∙ VF 0.5V ∙ Средний прямой ток 3A ∙ Периодическое обратное напряжение 30В ∙ Импульсный прямой ток 80A ∙ Производитель Semtech Материал...
В наличии
16.34 
Описание 1N5822 Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, STMicroelectronics Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 3 а Максимальное...
7.41 
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара