Цена: по запросу
Описание BA159 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1000 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 20 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 50 Максимальное прямое...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAP50-03,115 PIN Diodes, NXP Semiconductors A wide range of PIN diodes suitable for use in RF switching and attenuator applications. Тип диода PIN (Одиночный) Максимальное обратное напряжение, Vr 50 в Максимальный прямой ток на диод, If 50 мА Ёмкость при Vr, F...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAP64-02,115 Корпус SOD-523, Примечания DIODE, PIN, 175V, 0.1A, SOD-523 Тип диода PIN (Одиночный) Максимальное обратное напряжение, Vr 175 В Максимальный прямой ток на диод, If 100 мА Ёмкость при Vr, F 0.35 пФ при 20В, 1МГц Сопротивление при If, F 1.35 Ом при...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAR43S Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 30 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.2 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.75 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 0.5 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAR43SFILM Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 30 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.75 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 0.5 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAS116LT1G Small Signal Switching Diodes, ON Semiconductor Максимальная Рабочая Температура 150 C Количество Выводов 3вывод(-ов) Упаковка Разрезная Лента Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101 Стиль Корпуса Диода sot-23 Средний Прямой Ток 200ма...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAS16 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 715 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.25 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.2 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 1 Максимальное прямое...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAS16HT1G Small Signal Switching Diodes, ON Semiconductor Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, В 100 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.2 Максимальный...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAS16LT1G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 100 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.25 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 2 Максимальное прямое напряжение,В 1.25 при Iпр.,А 0.15...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров