Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBRS1100T3G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 100 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 50 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 500 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBRS130LT3G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 40 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 40 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 1000 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBRS140T3G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 40 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 40 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 1000 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBRS190T3G The MBRS190T3G is a surface-mount Schottky Power Rectifier with moulded epoxy case. It employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBRS260T3G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 60 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 2 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 60 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 700 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
£0.08
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBRS360T3G Schottky Barrier Diodes, 3A to 9A, ON Semiconductor Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 60 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 3 а Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBRS4201T3G Schottky Barrier Diodes, 3A to 9A, ON Semiconductor Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 200 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 4 А...
Цена: по запросу
Описание MBRS540T3G Schottky Barrier Diodes, 3A to 9A, ON Semiconductor Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 5 А Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
В наличии
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара