Описание BAS16HT1G Small Signal Switching Diodes, ON Semiconductor Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, В 100 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.2 Максимальный...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAS16LT1G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 100 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.25 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 2 Максимальное прямое напряжение,В 1.25 при Iпр.,А 0.15...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 16 товаров