Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBRS1100T3G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 100 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 50 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 500 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBRS130LT3G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 40 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 40 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 1000 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBRS140T3G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 40 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 1 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 40 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 1000 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBRS190T3G The MBRS190T3G is a surface-mount Schottky Power Rectifier with moulded epoxy case. It employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 20 товаров