Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAT54ALT1G The BAT54A is a Schottky Barrier Diode for general use and also suitable for many different applications. • 290mW Power dissipation • 430°C/W Junction-to-ambient thermal resistance • 10pF at 1V/1MHz Total capacitance Материал кремний Кол-во диодов в...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAT54C Корпус SOT-23-3 Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 2 Конфигурация диода 1-пара, общий катод Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 200 мА (DC) Максимальное прямое напряжение при...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAT54C-TP Диоды и выпрямители Шоттки .3A 30V Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 2 Конфигурация диода 1-пара, общий катод Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 30 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 200 мА (DC) Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAT54CLT1G ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание BAT54HT1G ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 64 товара