Диоды Шоттки

Цена: по запросу
Описание L6210 Характеристики Максимальное постоянное обратное напряжение,В 50 Максимальное импульсное обратное напряжение,В 50 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 2 Максимальный допустимый прямой импульсный ток,А - Максимальный обратный ток,мкА -...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBR0520L Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 20 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.5 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.5 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 130 Максимальное...
Цена: по запросу
Описание MBR0520LT1G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 20 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.5 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.5 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 130 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBR0530T1G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 30 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.5 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 0.5 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 130 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBR0540 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 40 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.5 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 5.5 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 200 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBR0540-TP Diode Schottky 40V 500mA Surface Mount SOD-123 Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 500 мА Максимальное...
Цена: по запросу
Описание MBR0540T1G Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 40 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 0.5 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 5.5 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 200 Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBR10100G Schottky Barrier Diodes, 10A to 25A, ON Semiconductor Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 100 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 10 А...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBR1100G The MBR1100G is an axial-lead Schottky Rectifier with epoxy moulded case. It employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBR130LSFT1G ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
В наличии
17.57 
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBR1645G Schottky Barrier Diodes, 10A to 25A, ON Semiconductor Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 45 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 16 А Максимальное...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание MBR2545CTG Schottky Barrier Diodes, 30A to 240A, ON Semiconductor Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 2 Конфигурация диода 1-пара, общий катод Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 45 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 15 А...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 128 товаров