Диоды Шоттки

В наличии
7.05 
Описание 1N5821 Характеристики Материал кремний Максимальное импульсное обратное напряжение, В 30 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 3 Максимально допустимый прямой импульсный ток,А 80 Максимальный обратный ток,мкА 25гр 2000 Максимальное прямое...
8.18 
Описание 1N5821 Характеристики Технические ∙ Корпус DO-201AD ∙ Монтаж DIP Электрические ∙ Обратный ток утечки 500uA Общие ∙ VF 0.5V ∙ Средний прямой ток 3A ∙ Периодическое обратное напряжение 30В ∙ Импульсный прямой ток 80A ∙ Производитель Semtech Материал...
В наличии
16.34 
Описание 1N5822 Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, STMicroelectronics Материал кремний Кол-во диодов в корпусе 1 Конфигурация диода Одиночный Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr 40 в Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) 3 а Максимальное...
7.41 
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Описание 1PS70SB16,115 The 1PS70SB16 is a dual planar Schottky Barrier Diode in common anode configuration with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a very small SOT323 (SC-70) surface-mounted device (SMD) plastic package. It is used for ultra high-speed...
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Цена: по запросу
Показать еще 20 товаров