MBR130LSFT1G, диод шоттки 30v 1а
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание MBR130LSFT1G
ON Semiconductor Schottky Barrier Diodes
This ON Semiconductor Schottky power rectifier employs the Schottky barrier principle using a barrier metal to create the best forward voltage drop−reverse current exchange. Suitable for low voltage, high-frequency rectification as well as a freewheeling and polarity protection diode in a range of surface mount applications wherever a more compact size and weight are key.
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 30 в |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 380 мВ при 1 А |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 1 мА при 30 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -55…+125 C |
| Корпус | SOD-123FL |
| Вес, г | 0.05 |
Особенности
Быстродействие
Не более 500нс при токе более 200мА
Вес брутто
0.03 г
Код товара
214780
Корпус
SOD-123FL
Краткое описание
Diode Schottky 30V 1A Automotive 2-Pin SOD-123FL T/R Диод Шоттки 30V 1А
Нормоупаковка
3000 шт
Обратное напряжение (макс.)
30В
Обратный ток утечки
1мА при 30В
Прямое напряжение (макс.)
380мВ при 1А
Средний прямой ток
1А
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/31/b2/43/b9/9d7252fcba905e1866e36729.pdf