MBR1100G, diode schottky 100v 1a axial
Войдите в учётную запись, чтобы мы могли сообщить вам об ответе
Описание
Описание MBR1100G
The MBR1100G is an axial-lead Schottky Rectifier with epoxy moulded case. It employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. The state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. It is ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free-wheeling diodes and polarity protection diodes.
• Cathode indicated by polarity band
• Low reverse current
• Low stored charge, majority carrier conduction
• Low power loss/high efficiency
• Highly stable oxide passivated junction
• Guard-ring for stress protection
• Low forward voltage
• High surge capacity
• All external surfaces corrosion-resistant
| Материал | кремний |
| Кол-во диодов в корпусе | 1 |
| Конфигурация диода | Одиночный |
| Максимальное постоянное обратное напряжение, Vr | 100 в |
| Максимальный (средний) прямой ток на диод, If(AV) | 1 А |
| Максимальное прямое напряжение при Tj=25 °C, Vf при If | 790 мВ при 1 А |
| Максимальный обратный ток при Tj=25 °C, Ir при Vr | 500 мкА при 100 В |
| Рабочая температура PN-прехода | -65…+175 C |
| Корпус | DO-204AL / DO-41 |
| Вес, г | 0.4 |
Особенности
Быстродействие
Не более 500нс при токе более 200мА
Код товара
358468
Корпус
Axial
Краткое описание
Diode Schottky 100V 1A 2-Pin DO-41 Bag DIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIAL
Нормоупаковка
1000 шт
Обратное напряжение (макс.)
100В
Обратный ток утечки
500мкА при 100В
Прямое напряжение (макс.)
790мВ при 1А
Средний прямой ток
1А
Файлы
Https://www.promelec.ru/fs/sources/5c/a3/76/12/ddbb518e20dc63fba7a14200.pdf